在工業溫度控制領域，當精度要求提升至±0.1℃甚至更高時，比如在半導體制造、精密材料加工等行業里，越來越多的人傾向于選擇專門的溫控器，而非傳統的PLC。
 
  精度高只是*道檻
 
  談及PLC和專門溫控器做溫控的共同點，不管是溫控器還是PLC，PID控制都是應用比較廣泛的原理。
 
  在對溫度控制精度要求低的場景里，傳統的單一PID確實夠用。但當面對更復雜的情況，比如半導體制造的芯片蝕刻、薄膜沉積等場景里，就會顯得捉襟見肘，因為：
 
  ■一方面，半導體制造工藝需要很高的采樣率、量測精度和顯示精度等，通常顯示精度要求至少達到0.01℃，控溫精度更是要小于0.1℃，部分場景甚至需達到0.05℃；
 
  ■另一方面，半導體制造設備自身的特性會阻礙溫控的*性，比如加熱爐通過熱輻射完成升溫，會有明顯的滯后性，很容易引發溫度調或調節不及時，進而影響產品質量。
 
  對精度高的要求，已經讓多數PLC產品望塵莫及，即便在硬件升級后，大部分PLC也很難穩定達到如此高的精度標準。
 
  當然，除了提升精度的難點，要減少測溫、讀數誤差，解決加熱系統滯后性，還需要引入更優的算法，包括PID串級控制、前饋控制、引入AI溫控算法等。
 
  ■同樣精度，通用PLC“隱形成本”更高
 
  我們姑且假設一臺PLC的硬件條件已經達標——比如某些高端性能的PLC具備10ms級采樣周期、16位以上的ADC分辨率。參數看似接近溫控器，但遇到一些非線性、大滯后、多變量耦合的溫控場景，這些短板就會被放大：
 
  ■從 “0” 到 “1” ，算法開發不易
 
  部分PLC的本質是通用型控制平臺。溫控器內置的串級PID、前饋補償等核心算法，在PLC中需依賴用戶自行編寫、調試參數，這對人員的要求很高。
 
  ■調試和試錯成本過高
 
  PLC的溫度控制程序高度依賴人工調參，復雜場景下的PID參數整定(如半導體蝕刻爐的溫度調抑制)需要具備多學科知識、經驗豐富的人才。
 
  一般來說，光是前饋算法的調試周期就長達2-3周，這些都是不能忽視的“隱形成本”，且參數適配性差，更換設備后需重新開發，這和溫控器 “即插即用” 的功能形成鮮明對比。
 
  技術固化和封裝——從“通用”到“”
 
  綜合來看，PLC的開放性架構固然靈活，但做*控溫時，溫控器的優勢除了高精度、高可靠性的基礎功能外，它還將行業共性難題的解決方案，固化成了“知識庫”，在無形中能大幅減少企業的人員、資金與時間投入成本。
 
  比如*近臺達推出的DTDM系列模塊化溫度控制器，有著*的硬件規格和算法，在性能上已經可以和國外一些*的產品媲美。其中一些面向*溫控應用的設計，對理解溫控技術發展有著參考價值：
 
  ■硬件采用模塊化設計
 
  臺達DTDM系列溫控器采用了靈活的模塊化設計，4路通道、2個串級PID回路，單一DTDM群組*多可串接8臺測量機，進行32組PID控制。
 
  這樣用戶就能根據實際需求自由組合測量主機、測量擴展機、數字輸入輸出模塊以及通訊模塊，所以不管是簡單還是復雜的功能應用，都能夠隨意調用。
 
  產品的采樣周期壓縮到了10ms，借助自帶的溫度校正折線表，能提供14 組溫度校正點以及轉折點或偏移量兩種補償方式，能有效消除誤差，確保測量的準確性。
 
  ■控制算法提前封裝
 
  串級PID控制：破解滯后性難題
 
  DTDM系列溫控器把外/內(主/從)兩個控制回路串聯運作，主控制器根據目標溫度與實際溫度的偏差輸出控制信號，從控制器根據設定值控制加熱設備，二者協同就能快速消除因為遲滯效應或其他干擾造成的溫度落差，實現穩定控溫。
 
  針對特殊加熱設備的溫度擾動狀況，前饋控制能在檢測到溫度變化的瞬間，預先補償已知的熱量損失，前調節以降低溫度變化。和PLC產品相比，DTDM系列溫控器前饋補償功能，在半導體干式蝕刻這類工藝里，能確溫度穩定、提升產品質量。
 
  現在，很多溫控器廠商都會針對細分行業(如半導體蝕刻、薄膜沉積、鋰電池燒結)的工藝特點，內置行業專屬控制算法。比如臺達在產品研發的過程中，就非常注重結合行業Know-How優化算法。
 
  DTDM系列特別適合半導體晶圓加工設備，如化學氣相沉積系統 (CVD)、物理氣相沉積系統 (PVD)、氧化擴散爐、硅蝕刻機、原子層沉積系統 (ALD) 等。以后，臺達也會繼續和行業用戶持續豐富系列產品的功能，做更多定制開發。