庫號：D397453   

高頻光電導少數載流子壽命測試儀是參照半導體設備和材料組織SEMI標準（F28-75）及標準GB/T1553-1997設計制造。本設備采用高頻光電導衰減測量方法，適用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，硅單晶壽命測量ρ≥3Ω·cm，由于對樣塊體形無嚴格要求，因此應用于工廠的常規測量。壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況，是單晶質量的重要檢測項目。
參數
（1）電阻率測量范圍ρ≥3Ω·cm，壽命測試范圍：5~10000μs
（2）光脈沖發生裝置
重復頻率＞25次/s 脈寬≥60μs 光脈沖關斷時間＜1μs
紅外光源波長：1.06μm（測量硅單晶），如測量鍺單晶壽命需另行配置適當波長的光源。
脈沖電源：～12A
（3）高頻源
頻率：30MHz 低輸出阻抗 輸出功率＞1W
（4） 放大器和檢波器
頻率響應：2Hz～3MHz
壽命測試范圍：5~10000μs
按測量標準對儀器設備的要求，本儀器設備配有：
（5）讀數方式：可選配載流子壽命測試軟件系統或數字示波器讀數，軟件系統測試操作簡單，點擊“測量”即可，自動保存數據及相應測試點衰減波形到數據庫，可進行查詢歷史數據和導出歷史數據等操作。

高頻光電導少數載流子壽命測試儀是參照半導體設備和材料組織SEMI標準（F28-75）及標準GB/T1553-1997設計制造。本設備采用高頻光電導衰減測量方法，適用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，硅單晶壽命測量ρ≥3Ω·cm，由于對樣塊體形無嚴格要求，因此應用于工廠的常規測量。壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況，是單晶質量的重要檢測項目。
參數
（1）電阻率測量范圍ρ≥3Ω·cm，壽命測試范圍：5~10000μs
（2）光脈沖發生裝置
重復頻率＞25次/s 脈寬≥60μs 光脈沖關斷時間＜1μs
紅外光源波長：1.06μm（測量硅單晶），如測量鍺單晶壽命需另行配置適當波長的光源。
脈沖電源：～12A
（3）高頻源
頻率：30MHz 低輸出阻抗 輸出功率＞1W
（4） 放大器和檢波器
頻率響應：2Hz～3MHz
壽命測試范圍：5~10000μs
按測量標準對儀器設備的要求，本儀器設備配有：
（5）讀數方式：可選配載流子壽命測試軟件系統或數字示波器讀數，軟件系統測試操作簡單，點擊“測量”即可，自動保存數據及相應測試點衰減波形到數據庫，可進行查詢歷史數據和導出歷史數據等操作。